7834智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案285
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智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案
第一章
1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？
对
错
答案: 对
第二章
1、p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。
对
错
答案: 错
2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
对
错
答案: 对
3、以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
对
错
答案: 对
4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
单晶体
多晶体
非晶体
结晶体
答案: 结晶体
5、从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
对
错
答案: 错
6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
对
错
答案: 对
7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。
对
错
答案: 错
8、通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
对
错
答案: 错
9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
0
1/4
1/2
1
答案: 1/2
10、通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
对
错
答案: 对
第三章
1、通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
对
错
答案:
2、pn结加反偏压时，总电流为0。
对
错
答案:
3、平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
对
错
答案:
4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
对
错
答案:
5、欧姆接触也称为整流接触。
对
错
答案:
6、通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
对
错
答案:
7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
对
错
答案:
8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
对
错
答案:
9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
对
错
答案:
10、BJT可用于恒定电流源的设计。
对
错
答案:
第四章
1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
对
错
答案:
2、VOC是指短路电压。
对
错
答案:
3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
对
错
答案:
4、以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？[1] [2] [3] 下一页