半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知    GaAs 材料的Eg=1.43eV,某一 InGaAsP材料的 Eg=0.96eV,求它们的发射波长。

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半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知    GaAs 材料的Eg=1.43eV,某一 InGaAsP材料的 Eg=0.96eV,求它们的发射波长。

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